Der südkoreanische Speicherspezialist
SK Hynix hat die nach eigenen Angaben weltschnellsten DRAM-Module angekündigt. Bei den in Kooperation mit
Intel und Renesas produzierten Samples handelt es sich um sogenannte DDR5 Multiplexer Combines Ranks (MCR) Memories, die einen Datendurchsatz von mindestens 8 Gbps unterstützen sollen. Gegenüber den heutigen DDR5-Speichern, die mit einer Transferrate von 4,8 Gbps zurechtkommen, würde dies einem Performance-Zuwachs von immerhin 80 Prozent entsprechen. Wie SK Hynix mitteilt, konnte durch die simultane Nutzung der als Rank bezeichneten Transfereinheiten die Transferrate von 64 auf 128 Bit verdoppelt werden, wodurch die Transferrate von 8 Gbps realisiert werden konnte.
SK Hynix will die neue Speichertechnologie für künftige Xeon-Prozessoren von Intel bereitstellen, lässt aber offen, wann mit ersten Produkten zu rechnen ist.
(rd)
