Samsung präsentiert ersten 512-GB-DDR5-DRAM-Riegel

Samsung kündigt an, sein DDR5-DRAM-Memory-Portfolio um den industrieweit ersten Speicherriegel mit einer Kapazität von 512 GB erweitert zu haben. Das Modul soll mit bis zu 7200 Megabit pro Sekunde die doppelte Performance von DDR4-Speicher liefern, wird allerdings (zumindest vorerst) nicht für den Heimgebrauch bereitstehen. Vielmehr sieht Samsung als Einsatzgebiet den High-Performance-Computing-Bereich, wo der Speicher in Supercomputern oder für AI- und ML-Aufgaben eingesetzt werden soll.


Erreicht wird die hohe Speicherkapazität auf dem begrenzten Platz durch eine Technologie namens Through Silicon Via (TSV), die auch in 3D-NAND-Chips verwendet wird und es ermöglicht, übereinander gestapelte Silizium-Layer miteinander zu verbinden. Im Falle des Speicherriegels verwendet Samsung acht Layer bestehend aus 16-GB-DRAM-Chips. Um den Energiebedarf zu kontrollieren setzt Samsung derweil auch die sogenannte High-K Metal Gate (HKMG)-Technologie. (mw)