IBM ist es in Zusammenarbeit mit Globalfoundries und
Samsung gelungen, einen neuartigen Prozess für den Bau von Silizium-Nanosheet-Transistoren zu entwickeln, der es erlaubt, 5-Nanometer-Chips herzustellen. Auf diesen Chips sollen bis zu 30 Milliarden Switches untergebracht werden. Dadurch kann die Leistung den Angaben IBMs zufolge gegenüber der derzeit etablierten 10-Nanometer-Technologie um gut 40 Prozent gesteigert, beziehungsweise bei gleichbleibender Performance bis zu 75 Prozent Energie gespart werden.
IBM geht davon aus, dass Akkus dank den erwähnten Energieeinsparungen eine zwei bis drei Mal höhere Laufzeit als die aktuellen Ausführungen erreichen könnten. Die Details des neuen Ansatzes sollen an den diesjährigen VLSI Technology and Circuits Symposien in Kyoto kommuniziert werden. Das untenstehende Video gewährt allerdings bereits einen ersten Einblick in den neuartigen Prozess.
(af)
