Samsung senkt Chip-Strukturbreite auf 4 Nanometer
Quelle: Samsung

Samsung senkt Chip-Strukturbreite auf 4 Nanometer

Samsung will die Strukturbreite seiner Chips sukzessive auf 4 Nanometer reduzieren und dabei auf eine neue Geräte-Architektur namens Multi Bridge Channel FET setzen.
26. Mai 2017

     

Samsung hat anlässlich des Samsung Foundry Forums seine Pläne für künftige Chipgenerationen verraten. Demnach will der südkoreanische Elektronikkonzern die Strukturbreite auf 4 Nanometer reduzieren. Nach der momentanen 10-Nanometer-Generation sollen nun zuerst Chips mit 8 Nanometer Strukturbreite folgen, bevor dann die Strukturbreite Schritt für Schritt um jeweils einen Nanometer reduziert wird.

Während für die 8-Nanometer-Chips noch das bisherige Herstellungsverfahren zum Zuge kommen wird, wird Samsung für die 7-Nanometer-Generation erstmals ein Extreme-Ultraviolet-Lithografie-Verfahren einsetzen, das man gemeinsam mit ASML entwickelt hat. Zudem soll die Fertigung bis zu 5 Nanometer auf dem aktuellen FinFET-Verfahren basieren.


Die Chips mit 4 Nanometer Strukturbreite sollen schliesslich mit einer neuen Geräte-Architektur namens Multi Bridge Channel FET (MBCFET) produziert werden. Dabei handelt es sich um eine Samsung-eigene Gate-all-around-FET (GAAFET)-Technologie, die Nanosheet-Geräte nutzt, um dîe Leistungsgrenzen der bisherigen FinFET-Architektur zu umgehen. (abr)


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