Der südkoreanische Elektronikriese
Samsung hat die nach eigenen Angaben ersten 24-Gigabit GDDR7-DRAM-Bausteine vorgestellt. Sie sollen nicht nur branchenweit die höchste Kapazität von 3 Gigabyte bieten, sondern auch eine noch nie gesehene Geschwindigkeit von bis über 42 Gpbs erreichen. Die neuen Speicherchips wurden für den Einsatz in Rechenzentren und KI-Workstations konzipiert und sollen weit über traditionelle Speicher-Anwendungen in Grafikkarten oder Spielkonsolen hinausreichen.
Samsungs neue 24-Gbit-Chips werden in einem 10-Nanometer-Fertigungsverfahren der fünften Generation hergestellt, womit bei gleichem Formfaktor wie beim Vorgänger eine um 50 Prozent höhere Zelldichte erreicht werden konnte. Die Geschwindigkeit konnte dank einer 3-Level-Puls-Amplitudenmodulation auf 40 Gbps angehoben werden, womit der Speed der Vorgängermodule um 25 Prozent verbessert werden konnte. Je nach Umgebung soll sich die Geschwindigkeit auf maximal 42,5 Gbps steigern lassen. Daneben konnte der Stromverbrauch um 30 Prozent gesenkt werden.
Noch im Verlauf dieses Jahres sollen grosse GPU-Kunden die neuen Speicherchips in ihren AI-Systemen der nächsten Generation testen, der kommerzielle Einsatz ist dann fürs kommende Jahr geplant.
(rd)
