Samsung setzt für DDR5-Memory auf EUV-Technik

Ab 2021 setzt Samsung bei der Produktion von DDR5- und LPDDR5-Speicherchips auf Extrem-Ultraviolette Belichtung (EUV). Damit sollen kleinere Strukturen möglich sein, und man kann wiederholte Fertigungsschritte eliminieren. Insgesamt soll sich so die Performance der Speicherproduktion steigern. Dass die Methode für Speicherchips funktioniert, hat der Hersteller anhand eines Testlaufs mit einer Million DDR4-Modulen bereits verifiziert.


Samsung ist der erste Hersteller, der aktuellen Herausforderungen beim Skalieren von DRAM-Komponenten mit der EUV-Technik begegnet. EUV wird laut Samsung bei der künftigen DRAM-Herstellung zum Standard, beginnend mit der 10-Nanometer-Klasse der vierten Generation (D1a) oder der «hoch fortgeschrittenen» 14-Nanometer-Klasse. Die Serienherstellung soll gemäss einer Mitteilung des Konzerns 2021 beginnen. Mit der neuen Methode will Samsung die Fertigungskapazität der 12-Zoll-D1x-Wafer verdoppeln. (ubi)