Samsung zeigt DDR4-DRAM

Samsung hat das erste DDR4-Speichermodul vorgestellt, mit neuen DRAM-Chips, die im 30-Nanometer-Verfahren gefertigt wurden. Es soll bis zu 2,133 Gigabit Daten per Sekunde transferieren können und das bei einer Spannung von nur 1,2 Volt. Damit ist das DDR4-Modul stromsparender und schneller als sein Vorgänger. DDR3 DRAM benötigt 1,35 beziehungsweise 1,5 Volt und bringt es auf eine maximale Datentransferrate von 1,6 Gigabit pro Sekunde. Laut Samsung kann man mit den neuen DRAM beispielsweise die Akkuleistung eines Notebooks deutlich verbessern.

Das neue Speichermodul wird gemäss Samsung derzeit von einem Controller-Hersteller getestet. In der zweiten Jahreshälfte 2011 soll die Standardisierung von DDR4-Technologien weiter vorangetrieben werden. Erste DDR4-Produkte werden also vermutlich nicht vor 2012 erscheinen. (mv)