Bereits Ende 2006 stellten erste Hersteller wie
Samsung Prototypen eines PRAM (Phase-Change Random Access Memory) vor, das deutlich skalierbarer sein soll als bisherige Technologien (
wir berichteten). Seitdem ist einige Zeit vergangen, aber nun steht PRAM laut Wolfgang Braun vom Paul-Drude-Instituts für Festkörperelektronik (PDI) kurz vor dem Durchbruch. In einem Interview mit "Pressetext Deutschland" sagt der Wissenschaftler, dass aktuell industriell an PRAM gearbeitet werde und nach Ankündigungen von Unternehmen noch in diesem Jahr eingeführt werden könnten. Zum Einsatz kommen könnte der neue Speicher vorerst vor allem in mobilen Endgeräten, insbesondere in Smartphones.
Für Braun ist, wie er weiter mitteilt, langfristig sogar ein Verschmelzen von Festplatte und RAM möglich. Möglich machen soll das die Tatsache, dass PRAM ähnlich schnell schaltbar sei wie bisherige RAM-Technologien, die Information damit aber zusätzlich auch permanent gespeichert werden können. Auch die Flash-Konkurrenz wird man im Griff haben: PRAM soll gegenüber herkömmlichem Flashspeicher eine einfachere Herstellung und eine kleinere Chip-Fläche haben und erst noch deutlich schneller sein.
(mv)