SDRAM mit 4 Gigabit
Samsung stellt eine Technologiestudie zur Herstellung von SDRAM-Speicherchips mit 4 GBit vor.
9. Februar 2001
In einer Technologiestudie hat Samsung Spezifikationen zur Herstellung von 4-GBit-Speicherchips vorgestellt. Der DDR-SDRAM-Baustein verfügt über acht 512-MBit-Speicherfelder und 4,3 Milliarden Speicherzellen. Bisher war die Herstellung solcher Chips problematisch, da durch die Grösse die Signalleitungen zu lang wurden und Rauschen sowie Spannungsschwankungen auftraten. Mittels Zusatzschaltungen auf den Schreib- und Leseschaltungen soll jetzt die Versorgungsspannung von 1,8 Volt konstant bleiben und das Rauschen unterdrückt werden können. Infineon hatte bereits 1999 1-GBit-Speicherchips vorgestellt. Diese Bausteine waren bisher aber zu gross für die Serienfertigung.
(mw)
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