Die 3D-Flash-Speicher der sechsten Generation von
Kioxia und
Western Digital sollen über eine fortschrittliche Architektur verfügen, die im Vergleich zur fünften Technologiegeneration eine um bis zu 10 Prozent höhere Dichte von Speicherzellen in den Layern erlaubt. Dieser Fortschritt bei der lateralen Skalierung in Kombination mit 162 Schichten von Speicherzellen ermögliche eine 40-prozentige Reduzierung der Chipgrösse gegenüber der Generation mit 112 Layern, was wiederum für eine Kostenoptimierung sorgen soll, wie die beiden Unternehmen erklären.
Zudem wurden die CMOS-Schaltkreise unterhalb der Speicherzellen (Circuit under Array) platziert und nutzen ein Design mit vier Speicherbereichen, um die Schreibleistung nahezu um den Faktor 2,4 und die Leselatenz um 10 Prozent zu verbessern. Die I/O-Performance verbessere sich dadurch ebenfalls, und zwar um 66 Prozent. Die neue 3D-Flash-Speichertechnologie soll die Kosten pro Bit reduzieren und gleichzeitig die Zahl der Bits pro Wafer im Vergleich zur Vorgängergeneration um 70 Prozent erhöhen.
(luc)
