Gemeinsam haben
Intel und Micron Technology im Rahmen des Joint-Ventures IM Flash Technologies eine 20-Nanometer-Technologie zur Herstellung von NAND-Flash-Speichern entwickelt. Nun haben die beiden Unternehmen die Technologie vorgestellt. Basierend auf dieser sollen 8 GB grosse Multi-Level-Cell-NAND-Flash-Speicher auf den Markt kommen, die sich laut Intel und Micron dank ihrer Kapazität und geringen Grösse für den Einsatz in Smartphones, Tablets oder als SSDs eignen sollen. So messen die neuen 20nm-8GB-Produkte lediglich 118 Millimeter im Quadrat. Zum Vergleich: Derzeitige 25-nm-8GB-NAND-Modelle von Intel messen 131 Millimeter im Quadrat. Durch die neue Technologie werden die Ausmasse der Hauptplatine also um bis zu 40 Prozent verringert, versprechen die beiden Unternehmen. Ausserdem stelle der neue Herstellungsprozess verglichen mit dem momentanen 25nm-Verfahren rund 50 Prozent mehr Speicherkapazität zur Verfügung.
Prototypen der 20nm-8GB-Geräte seien in Produktion, heisst es weiter, die Serienfertigung beginne voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16-GB-NAND-Flash-Speicher präsentieren, die auf der Fläche einer Briefmarke bis zu 128 GB Speicherkapazität bieten sollen.
(abr)
