ETH schafft 108 GHz Taktfrequenz

Wie die ETH Zürich mitteilt, konnten Forschende des Instituts für Feldtheorie und Höchstfrequenztechnik in den letzten Monaten mehrere Male hintereinander den Weltrekord der Schaltgeschwindigkeit von Transistoren verbessern. Dabei setzten die Forscher rund um Professor Colombo Bolognesi auf eine besondere Art von Transistoren, die aus Aluminium Galliumnitrid bestehen, einem Material mit einer hohen Elektronenbeweglichkeit. Mit diesem Material und Silizium als Substrat wurden an der ETH Taktfrequenzen von 108 GHz erreicht. „Andere Gruppen haben mit einer ähnlichen Technologie bisher nur 28 GHz erreicht, wir sind also fast viermal so schnell“, wird Bolognesi auf der ETH-Website zitiert. Vor allem die Tatsache, dass Silizium als Substrat verwendet wird, sorgt für Aufsehen. Normalerweise kommen bei Transistoren aus Aluminium Galliumnitrid Saphir oder Siliziumkarbid als Substrat zum Einsatz. Beide Materialen sind jedoch deutlich teurer als Silizium und deshalb für die industrielle Fertigung kaum geeignet. Bei Stückzahlen im Milliardenbereich bedeute selbst eine Kostenersparnis von wenigen Rappen pro Transistor einen grossen Gewinn. Gleichzeitig heisst es aber auch, dass die Arbeit von Bolognesi und seinem Team nicht primär auf direkte Anwendungsgebiete abzielt. Man wolle vielmehr aufzeigen, was möglich sei und wo das physikalische Limit liege.