HP und Hynix Semiconductor haben offiziell mit der Entwicklung der nächsten Speichergeneration, dem so genannten ReRAM (Resistive Random Access Memory) begonnen. Sie nutzen die Änderung des Widerstands spezieller Materialkombinationen zur Speicherung von Informationen. Die kommerzielle Produktion soll bereits 2013 starten.
Die auf der Memristor-Technologie basierenden Speicherlösungen haben laut HP das Potential, aktuelle Flash-Speicher sowohl bezüglich totaler Kapazität, Geschwindigkeit, Energieverbrauch, Ausdauer und auch bezüglich Kosten hinter sich zu lassen. Laut Stan Williams, Director von HPS Information and Quantum Systems Lab (IQSL), versprechen Memristor-Chips gegenüber aktuellen Flash-Modellen die zehnfache Geschwindigkeit, bei einem gleichzeitig um das Zehnfache sinkenden Stromverbrauch. Die Kapazität soll rund doppelt so hoch sein, bezogen auf den Preis. Ganz konkret bedeutet das, dass künftige Smartphones und Note- oder Netbooks dank ReRAM schneller aufstarten und die Akkus die Geräte deutlich länger mit Strom versorgen werden.
Ob all dieser Möglichkeiten glaubt Williams, dass die neue Memristor-Technologie dereinst sogar zur universellen Speichertechnologie wird und nicht nur Flash-Speicher, sondern auch aktuelle DRAMs und Harddisks ablösen wird.
Die Memristor-Technologie an sich ist nichts Neues. Das theoretische Konzept hat Professor Leon Chau bereits 1971 an der Universität von Berkley vorgestellt. Auch ReRAM ist eigentlich ein alter Hut, hat Fujitsu Ende 2007 doch bereits einen ReRAM-Prototypen gezeigt. Durch das Abkommen von HP und Hynix geht es nun aber richtig vorwärts und man darf gespannt sein, ob das ambitiöse Ziel 2013 erreicht werden kann.
(Michel Vogel)
Next-Generation-Speicher ReRAM
