Was seit 1989 niemandem gelang, wollen nun Intel und
Micron erreicht haben: Die Unternehmen haben eine neue Gattung nicht flüchtigen Speichers entwickelt. Die zum Einsatz kommende 3D-Xpoint-Technolgie soll die Geschwindigkeit von nicht flüchtigem Speicher im Vergleich zum bisher vorherrschenden Nand-Flash-Speicher um den Faktor 1000 erhöhen. Die Technologie könnte in Rechnern, Tablets und Smartphones zum Einsatz kommen, aber auch Innovationen in Anwendungsszenarien wie Echtzeit-Tracking von Krankheiten und 8K-Gaming vorantreiben, heisst es in einer Mitteilung. Der nicht flüchtige Speicher revolutioniere jedes Gerät, jede Anwendung, jeden Service, der vom schnellen Zugriff auf grosse Datenmengen profitiere. Welche Materialien Intel und Micron konkret verwenden, ist nicht bekannt, die Produktion der ersten Chips sei aber bereits im Gange. Erste Muster von Chips mit der 3D-Xpoint-Technologie sollen im Laufe dieses Jahres veröffentlicht werden.
"Die Industrie sucht bereits seit Jahrzehnten nach Wegen, um die Verzögerung zwischen dem Prozessor und den Daten zu reduzieren und damit Analysen zu beschleunigen", erklärt Rob Crooke, Senior Vice President und General Manager der Non-Volatile Memory Solutions Group bei
Intel. "Diese neue Gattung nicht flüchtigen Speichers erreicht dieses Ziel und bringt wegweisende Leistung für Storage-Lösungen." Und Micron-Präsident Mark Adams fügt hinzu: "Eine der grössten Hürden des modernen Computings ist die Zeit, die der Prozessor für den Zugriff auf Daten im Langzeit-Speicher benötigt." Diese neue Kategorie von nicht flüchtigem Speicher nun stelle eine revolutionäre Technologie dar, die einen schnellen Zugriff auf riesige Datenmengen erlaube.
(aks)
