Forscher des
Massachusetts Institute of Technology (MIT) und der University of Colorado sollen den kleinsten jemals hergestellten Transistor entwickelt haben, wie die Nachrichtenagentur "Pressetext" berichtet. Mit einer Ausdehnung von 2,5 Nanometern ist er nur halb so gross wie der bisher kleinste Transistor. Trotz seiner geringen Grösse ist er allerdings leistungsfähiger als sein Vorgänger.
Für die Produktion des Transistors wurde eine neue Ätztechnik namens Thermal Atomic Level Etching verwendet, mit welcher der Halbleiter Atom für Atom modifiziert werden konnte. Thermal Atomic Level Etching basiert auf der Technik Atomic Layer Deposition (ALD), bei welcher in einem Vakuum-Reaktor zwei Chemikalien platziert werden, die miteinander reagieren. Sie bilden einen Film, der nur eine Atomlage dick ist. Das verbesserte ALD-Verfahren nutzt derweil den Ligandenaustausch, bei welchem ein Ion, das an einem Metall klebt, gegen ein anderes Teilchen ausgetauscht wird. Wenn die Chemikalien abgewaschen werden, reisst das Tauschteilchen ein Atom aus dem Untergrund mit sich. Das wird einige 100 Mal wiederholt, bis der Transistor fertig ist. Als Basismaterial kommt zudem Indium-Gallium-Arsenid und nicht Silizium zum Einsatz.
(abr)
