Samsung präsentiert nicht flüchtigen RAM

Der Elektronikkonzern Samsung hat einen ersten PRAM-Prototypen mit 512 MBit Kapazität vorgestellt. Dies, nachdem im Februar bereits an der ISSCC ein Modul mit bis 256 MBit Kapazität vorgestellt wurde.
Bei PRAM, was für Phase-change Random Access Memory steht, handelt es sich um eine Art Mix aus herkömmlichem Arbeitsspeicher und Flash-Speicher. PRAM ist nicht flüchtig und im Gegensatz zum heutzutage weit verbreiteten NOR-Flash-Speicher deutlich schneller zu beschreiben, da vor dem Speichervorgang nicht erst grössere Datenblöcke gelöscht werden müssen. Samsung verspricht eine Erhöhung der Schreibperformance um den Faktor 30. Die Zahl der Lese- und Schreibzyklen soll um den Faktor 10 höher liegen. Zudem lässt sich PRAM deutlich einfacher herstellen, da es rund 20 Prozessschritte weniger als NOR-Flash benötigt und auch noch weniger Platz belegt. PRAM-Zellen sollen nur halb so gross wie diejenigen von NOR-Flash sein.
Samsung will PRAM bereits 2008 als Alternative zum heutigen NOR-Flash-Speicher einführen. Bis in zehn Jahren soll PRAM die NOR-Technologie komplett ablösen. PRAM soll vor allem in mobilen Endgeräten, insbesondere auch in Handys, zum Einsatz kommen.
Neben dem PRAM-Prototypen hat Samsung eine neue Generation von NAND-Chips mit Kapazitäten von 32 GBit (4 GB) präsentiert. Der Chip wird in 40-Nanometer-Technik gefertigt und soll 2008 in Serienproduktion gehen. Damit sollen Flashkarten mit 64 GB Speicher realisierbar sein. Ermöglicht wird dies durch eine Technik namens «Charge Trap Flash».