Heisse Sendeleistung

Fujitsu hat einen Transistor entwickelt, der fast doppelt so hohe Spannungen schalten können soll wie aktuelle Transistoren. Damit soll er leistungsfähigere Funkmasten für Handy-Netze, Wimax oder WLAN-Richtfunkverbindungen ermöglichen. Der High Electron Mobility Transistor soll die höhere Leistung einer neuartigen Verbindung aus Galliumnitrid auf einem Silizium-Substrat verdanken. Er soll bei 50 Volt und einer Temperatur von 200 Grad Celsius über 100 Jahre lang seinen Dienst verrichten und in der Spitze sogar Temperaturen von bis zu 300 Grad aushalten können.