MRAMs werden schnell

MRAM-Speicherchips (Magnetic Random Access Memory) behalten zwar ihre Daten auch dann, wenn der Strom ausgeschaltet ist – allerdings sind sie um einiges langsamer als ihre flüchtigen DRAM- und SDRAM-Pendants. Diesen Missstand wollen nun Hans Werner Schumacher und sein Forscherteam an der Physikalischen-Technischen Bundesanstalt in Braunschweig aus der Welt geräumt haben. Mit Hilfe ihrer sogenannten ballistischen Methode sollen auf MRAM gespeicherte Bits gezielt und schnell angesteuert werden können.