Langlebiger Flash-Speicher

Forscher des japanischen National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) haben eine neuartige Speicherzelle entwickelt, die gemäss AIST erhebliche Verbesserungen beim NAND-Flash-Speicher verspricht. Bei den neu entwickelten Speicherzellen handelt es sich um ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFET). Die FeFETs sollen sich über 100 Millionen Mal beschreiben lassen, wobei dafür eine Spannung von unter 6 Volt benötigt wird.

Herkömmliche NAND-Zellen arbeiten dagegen mit einer Spannung von 20 Volt und überleben gerade einmal einige zehntausend Zyklen. Ausserdem sollen die FeFETs weniger anfällig auf Interferenzen zwischen benachbarten Speicherzellen sein und deshalb Strukturbreiten von 20 oder
10 nm ermöglichen, während bei konventionellen NAND-Zellen bereits bei 30 nm Schluss sein soll. Auf diese Weise liessen sich höhere Speicherdichten erzielen. Die Lebensdauer einmal gespeicherter Daten geben die Forscher mit 10 Jahren an. Sie erhoffen sich durch die FeFETs vor allem grössere und langlebigere Solid State Drives.