Micron stellt mit HBM 3 Gen 2 schnellsten DRAM-Speicher der Welt vor
Quelle: Micron

Micron stellt mit HBM 3 Gen 2 schnellsten DRAM-Speicher der Welt vor

Mit einer Bandbreite von 1,2 TB/s soll er eine hoch performante technische Basis für KI- und Deep Learning-Anwendungen schaffen: Micron hat mit HBM 3 Gen 2 den aktuell schnellsten DRAM-Speicher der Welt vorgestellt.
27. Juli 2023

     

Micron positioniert die Speichermesslatte neu: Mit HBM 3 Gen 2 hat der Hersteller die schnellsten Speicherchips der Welt vorgestellt. Sie erreichen laut Unternehmensangaben eine Bandbreite von 1,2 TB/s bei einer Kapazität von 24 GB pro Speicherstapel, die aktuell jeweils aus acht Schichten bestehen. Eine zweite Version mit zwölf Schichten und einer Kapazität von 36 GB hat Micron ebenfalls angekündigt.


Mit diesen Kennzahlen soll HBM 3 Gen 2 vor allem die technische Basis für anspruchsvolle KI- und Deep Learning-Applikationen schaffen. Micron verspricht, dass der Speicher Trainingszeiten auf Systemebene um 30 Prozent reduzieren kann und über 50 Prozent mehr Anfragen pro Tag erlaubt.
High Bandwith Memory (HBM) gilt als Schlüsseltechnologie für das KI-Zeitalter, da entsprechende Anwendungen nicht nur immer mehr Rechenleistung, sondern auch schnellen Speicher voraussetzen. SK Hynix hatte den ersten HBM 3-Chip bereits Ende 2021 vorgestellt. Er erreichte eine Leistung von 819 GB/s. Um den deutlichen Performance-Sprung seines neuen Modells zu unterstreichen, geht Micron jetzt wiederum direkt zu Generation 2 über. Der erste HBM 4-Speicherhip ist zudem für das Jahr 2026 angekündigt. Er soll erstmals 1,4 TB/s knacken. (sta)


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