Toshiba verbessert MRAM

Toshiba hat auf dem Weg zur Marktreife von MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), das dereinst DRAM und Flash beerben soll, einige Hürden ausgeräumt. So konnte der hohe Stromverbrauch beim Schreibvorgang durch «Spin Transfer Switching» gesenkt werden. Mit «Perpendicular Magnetic Anisotropy», bei dem die Daten ähnlich wie bei der Festplatte vertikal gespeichert werden, soll zudem die Speicherdichte gesteigert werden.