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SK Hynix stellt ultraschnelle DRAM-Speicher vor
Quelle: SK Hynix

SK Hynix stellt ultraschnelle DRAM-Speicher vor

SK Hynix hat den nach eigenen Angaben schnellsten mobilen DRAM-Speicher entwickelt. Die Serienproduktion des Speicherchips soll in der zweiten Jahreshälfte 2023 starten.
27. Januar 2023

     

Das neue Flaggschiff LPDDR5T von SK Hynics ermöglicht eine Datenübertragungsrate von 9,6 Gigabit pro Sekunde, was einem Plus von 13 Prozent gegenüber dem Vorgänger-Modell entspricht. Damit ist der Speicher, dessen T am Ende des Names für Turbo steht, gemäss eigenen Angaben der weltweit schnellste DRAM-Speicher. Die Speicherchips sind für den Einsätze in mobilen Geräten konzipiert und arbeiten mit einer Betriebsspannung zwischen 1,01 und 1,12 Volt.


SK Hynix hat ersten Kunden Muster des 16-Gigabyte Multi-Chip-Pakets zur Verfügung gestellt, das mehrere LPDDR5T-Chips in einem Gehäuse vereint. Das verpackte Produkt kann bis zu 77 Gigabyte Daten pro Sekunde verarbeiten. Das Unternehmen plant, in der zweiten Jahreshälfte mit der Massenproduktion von LPDDR5T zu beginnen. (dok)


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