Samsung hat bekanntgegeben, dass die Massenfertigung von 8-GBit-DDR4-DRAM der 10-Nanometer-Klasse und darauf basierender Module gestartet ist. Gemäss Mitteilung erreicht der neue DRAM-Speicher Datentransferraten von bis zu 3200 MBit/s und ist somit rund 30 Prozent schneller als die DDR4-DRAM-Speicher mit 2400 Mbit/s.
Darüber hinaus sollen die auf den Speicherchips verbauten Module bis zu 20 Prozent weniger Strom verbrauchen, was sich wiederum auf die Effizienz von High-Performance-Computing- und Unternehmenssystemen auswirken dürfte.
Samsung plant, dass die neuen Elemente in PCs und Mainstream-Servern zum Einsatz kommen. Mit Hilfe der aktuellen DDR4-DRAM-Produktion will Samsung auch mobile 8-GBit-DRAM-Chips der 10-Nanometer-Klasse auf den Markt bringen.
(asp)
