Phase Change Memory, kurz PCM, könnte schon in absehbarer Zeit zu einem eigentlichen Leistungssprung bei Speichertechnologien führen. Wie das
IBM Forschungszentrum in Rüschlikon mitteilt, ist den Forschern jetzt ein bedeutender Schritt gelungen: Erstmals konnte erfolgreich nachgewiesen werden, dass PCM-Speicher über längere Zeiträume hinweg mehrere Bits pro Zelle zuverlässig speichern und auslesen können. Die IBM-Forscher haben dazu iterative Schreibverfahren zur Kompensation der Variabilität der einzelnen Speicherzellen sowie raffinierte Modulationscodierungs-Techniken entwickelt, welche das fehlerfreie Lesen der Daten ermöglicht hätten.
Mit der neuen Technik sei es gelungen, beim Auslesen "extrem tiefe Fehlerraten" zu erzielen, wie sie für den Einsatz in Unternehmen gefordert werden. Darüber hinaus konnte beim Beschreiben der PCM eine um den Faktor 100 höhere Schreibgeschwindigkeit als bei herkömmlichen Flash-Speichern erzielt werden.
(rd)
